INTEGRATI SERIE SI
SI 4435 DY IC P-MOS dz 30V 8,8A SO8 smd
SI 4435 DY IC P-MOS dz 30V 8,8A SO8 smd
CODICE: SI4435DY
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Prezzi Iva Inclusa
1 PZ
€ 1,2749
3 PZ
€ 1,0669
Scheda Tecnica
Articolo: SI4435DY
Descrizione: 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
Tensione: 30V
Corrente: 8.8A
Contenitore: SO-8
Marking: 4435
Posizione su scheda samsung modello LE32R86BDX/XEC - IC1108 Q409
Articolo in sostituzione:
Produttore:
Applications / FEATURES: Power management
Load switch
Battery protection
Low gate charge (17nC typical)
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
High power and current handling capability
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
TheseScheda Tecnica are indicative only, for more precise information look in the data producer.
RoHS:
Articolo: SI4435DY
Descrizione: 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
Tensione: 30V
Corrente: 8.8A
Contenitore: SO-8
Marking: 4435
Posizione su scheda samsung modello LE32R86BDX/XEC - IC1108 Q409
Articolo in sostituzione:
Produttore:
Applications / FEATURES: Power management
Load switch
Battery protection
Low gate charge (17nC typical)
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
High power and current handling capability
Nota informativa: I dati presenti in questa scheda sono solo indicativi.
Per informazioni piu precise consultare i dati del produttore.
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RoHS:
indirizzo del produttore
IN PREPARAZIONE
IN PREPARAZIONE
indirizzo Responsabile EU
Comp.El. Componenti Elettronici
Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
Comp.El. Componenti Elettronici
Via Campania, 20/A
09121 CAGLIARI
compel@compel-elettronica.com
Include una batteria tonda a bottone
Tenere fuori dalla portata dei bambini